1:右大臣・大ちゃん之弼 ★ @\(^o^)/:2019/03/22(金) 11:37:24.33 ID:CAP_USER

サムスン電子は21日、回路線幅を既存製品よりさらに微細化した「第3世代」のDRAMを世界で初めて開発したと発表した。第2世代のDRAMを開発してからわずか1年4カ月で次世代製品を発表したことになる。正確な回路線幅を明らかにしていないが、今年下半期から本格的な量産と販売を開始する。

 サムスン電子は3年前に回路線幅10ナノメートル台のDRAMの生産を開始した。その製品を第1世代と位置づけ、徐々に回路線幅を狭めた。第3世代を第1世代と比較すると、回路線幅が10%以上狭まったという。

 メモリー半導体では、回路線幅が微細であるほど、1枚のウエハーで生産できるDRAMの個数が増えるほか、半導体の電力消費量も抑えられる。サムスン電子は第3世代製品の生産性が前世代の製品よりも20%改善し、データ処理速度も速まったと説明した。

 サムスン電子メモリー事業部の李禎培(イ・ジョンベ)副社長は「微細工程の限界を克服し、次世代のメモリー半導体を迅速に投入している。今後もプレミアム級のDRAMのラインアップ拡大に継続的に投資を行い、未来技術をリードしていく」と述べた。

カン・ドンチョル記者

http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2019/03/22/2019032280012.html
朝鮮日報/朝鮮日報日本語版 2019/03/22 09:01


2:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 11:46:51.59 ID:zoZIOD4J

どこからパクったのかな?


3:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 11:49:08.12 ID:hcCDEy17

米粒より安い単価で設けゼロw


41:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:30:45.65 ID:pg9ZZgxO

>>3
というか、単に歩留まりが偉い事に成っていると思われる。


8:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 11:51:54.13 ID:goeiOPQO

韓国が開発したと言っても、なんか裏がありそうで信用出来ないんだよなあ。


9:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 11:54:52.22 ID:SMtObNBq

株価対策のアドバルーンじゃ


12:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 11:55:24.36 ID:27K3/63V

CPUだけど台湾ではとっくに7nmで製品化してるからねw


91:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 18:30:25.39 ID:CaUQ9WvV

>>12
本質的なプロセスルールの点で同一の測定方ではない
DRAMの場合はビット線ピッチの1/2
これは未だに変わっていない

ロジックの場合は30nmくらいまでは実測ゲート長、それ以降は実測ゲート長の定義が各社で異なり、大まかな集積度数の改善率からプロセスノード長のラベル名としているのが実態

サムスン、TSMCともに10、7nmに達しているとするが、個人的にはこの呼び方に違和感がある

最近の両者の例では最終的な集積度を20nm比で高め、SRAM試作時の面積を80%に削減できればそれで16nmを名乗る
だが、本来のスケーリング則による16nmは、ゲート長のシュリンクに伴い、コンタクトホールからM0ピッチまで全てシュリンクしたものであった

オプティカルシュリンクなのだから、ある意味当然だが、そうすると、70%シュリンクで面積比50%減というスケーリング則となる


先述のサムスンTSMCの最近のノード名は本来のシュリンク率を示していない
サムスンが今回持ってきたシュリンクは1Z世代で10nm代中盤と思われる

今年末にintelが本当の10nmを本格量産提供するとされているが、おそらく、サムスンTSMCにチクリと一言いうのではなかろうか
(というか、いうべき)


15:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 11:59:33.71 ID:zdTZvaWZ

中国に安売りで市場とられる側になって苦しむと良い日本にやって来たこと味わうと良い


18:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:02:09.27 ID:27K3/63V

回路パターンの線の細さが分子レベルになるから?とか電気信号の振幅の幅?
とかなんかで2nmのプロセスルールが物理的限界だと聞いたことがある


21:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:05:32.24 ID:ZATLWuDG

最近のグラボは、マイクロンメモリが載ってると不安でサムスン製だと安心らしいが
遅かれ早かれ中国に全部持っていかれるんだろうな


22:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:05:53.46 ID:afN97vli

いつもの株価対策だろ、もう誰も製品が出るまで騙されないよ。
何回株価対策で出ない製品があったと思ってるんだよw


27:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:19:27.53 ID:27K3/63V

日本製のウェハーに日本製のステッパーで焼き付けて日本製のフッ化水素で洗浄して
日本製のロボットで製品化したのがサムスンのメモリーです


36:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:28:02.26 ID:YFNzYpe4

つーか、10nm「台」って表現は余所のメーカーしてません。
世代表現もSamsungしかしてません。
○×nmのプロセスルールで生産とボカさず記載します。

歩留まりについて何も語ってないので、完全に株価対策ですね。



47:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:34:17.93 ID:+HWNjjZV

>>36
まあ19nmでも10nm台だからね


45:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:32:11.77 ID:fsWyyI+R

開発したという夢を見ただけだろう


52:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:37:22.72 ID:RVtRlDMD

今のレベルからの微細化でブレイクスルーとか競争力アップとかあるんだろうか?

基地局・スマホ・一般的な作業量(搭載量)がピークアウトしてるからメモリ半導体に未来が
あるようには思えないんだけどね。おまけに中国も参入するし。


55:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:40:47.67 ID:3oIzgtvY

3年前が第1世代って適当過ぎるわ。


56:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:42:30.64 ID:NKwzp3No

??
TSMCが去年7nmノードの生産始めててEUV露光の第2世代を第2四半期に始めるんだけど。
来年には5nmの量産始めるってさ。
intelもサムスンも置いていかれてるぞ。

https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1169430.html


57:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:43:06.90 ID:sg6ZKiNb

結局朝鮮自体中国が半導体製造を去年から自前で作りだして朝鮮サムスンやLGは必要無くなったから朝鮮サムスンやLGが半導体製造利益激減
急きょ慌てて第3世代のDRAM製造っていうがもう中国に技術は越され
朝鮮がもたもたしてる間に日本やアメリカの方が遥かに上回る技術開発して
結局朝鮮記事自体何時もの表向き企業評価を誤魔化す為の見栄っ張り妄想記事
実際は全く開発何処か手を付けてないだろ


59:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 12:48:07.20 ID:wNi98hRY

サムスンが凄いんじゃなくてこれの半導体製造装置を作ってるオランダのASMLが凄いんやで


73:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 14:08:47.08 ID:IuCkSbXp

スパーサイクル終わってまだこんなことやってんだ


76:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 16:08:30.46 ID:GAeCDULX

胡散臭い表記だな
物を見てから話しても全く問題ない


77:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 16:10:53.46 ID:oKGDUgFU

半導体製造装置は、どこ製なんだよ


98:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 19:30:44.26 ID:L1oQCyDn

世代の定義に違和感ありすぎる


103:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 20:21:48.65 ID:n6DkI83P

第三世代って17nm位か
東芝が4年前に15nm実現してる
スケールは隠さずに公表しましょう


121:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 22:05:38.91 ID:JuNkMhh6

社内でしか通用しない話題を代X世代と呼称してはいけない


122:(´・ω・`)(`ハ´  )さん:2019/03/22(金) 22:12:48.63 ID:hJFoyuUo

中国の国策DRAM工場本格稼働で価格破壊されるしなw




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